一、SiC功率器件發展概況
半導體材料已經從硅、鍺第一代材料發展到SiC、GaN的第三代半導體材料,相比前兩代半導體材料,SiC和GaN在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率等方面表現更加突出,特別適用于現階段下游正在快速發展的5G通訊和新能源汽車市場。
半導體材料發展路徑
資料來源:智研咨詢整理
SiC產業鏈分為三大環節,包括上游的SiC晶片、SiC外延,中游產業為SiC功率器件的制造,下游市場主要應用在新能源汽車、光伏發電、電源等領域。
SiC產業鏈
資料來源:智研咨詢整理
SiC是現階段高壓、高功率、高頻功率器件理想的材料,所以SiC功率器件在新能源車、充電樁、光伏、風電等這些對效率、節能和損耗等指標比較看重的領域,具有明顯的發展前景。
二、SiC功率器件全球市場格局
相比于Si基的IGBT,SIC MOS在產品尺寸、功率消耗大幅降低,在電動汽車的電池領域應用具有較強的性能提升。2018年特斯拉的主逆變器采用SiC,隨后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亞迪、雷諾等汽車生產商都宣布在其部分產品中采用SiC技術。汽車領域成為SiC功率市場快速發展的首要驅動力,2014-2019年全球SiC功率器件市場規模復合增長率35.83%,截至219年全球SiC功率器件市場規模約為6.15億美元。
2014-2019年全球SiC功率器件市場規模
資料來源:YOLE、智研咨詢整理
根據智研咨詢發布的《2020-2026年中國碳化硅功率器行業市場競爭格局及投資戰略咨詢報告》數據顯示:全球SiC功率器件主要應用于電動汽車、電源和光伏領域,上述三個主要市場占據了SiC功率器件市場份額65%左右。
2019年全球SiC功率器件下游應用格局
資料來源:ROHM、智研咨詢整理
三、SiC功率器件企業格局
由于我國SiC市場起步晚,絕大部分材料基本依賴進口,國產化程度偏低。其中,上游的晶片基本被美國CREE和II-VI等美國廠商壟斷。其中CREE從SIC上游材料切入到了SIC器件,相當于其擁有了從上游SIC片到下游SIC器件的產業鏈一體化能力。
由于碳化硅材料特殊的物理性質,晶體切割、加工等工藝要求高,需要企業長期投入和深耕才能形成產業化生產能力,導致SiC行業門檻很高。
SiC功率器件行業主要企業不同尺寸 SIC 晶片的推出對比
項目 | CREE | Ⅱ-Ⅵ | SiCrystal | 山東天岳 | 天科合達 |
4英寸品片 | 成功研制并規模化生產 | 成功研制并規模化生產 | 成功研制并規模化生產 | 成功研制并規模化生產 | 成功研制并規模化生產 |
6英寸品片 | 2012年全球首次成功研制并規模化生產 | 成功研制并規模化生產 | 成功研制并規模化生產 | 成功研制,2019年宣布產線建設計劃 | 2014年國內首次成功研制,已規模化生產 |
8英寸品片 | 成功研制,2019年宣布產線建設計劃 | 2015年全球首次成功研制,2019年宣布產線建設計劃 | 未披露 | 未披露 | 2020年啟動研發 |
資料來源:智研咨詢整理
四、中國SiC功率器件發展趨勢
國內的企業均處于初創期或者剛剛介入SIC領域,包括傳統的功率器件廠商華潤微、捷捷微電、揚杰科技,從傳統的硅基MOSFET、晶閘管、二極管等切入SIC領域,IGBT廠商斯達半導、比亞迪半導體等,但國內當前的SIC器件營收規模都比較小。
半導體產業是第四次工業革命的核心環節,我國在《中國制造2025》中明確了第三代半導體產業的重要性,近三年,針對第三代半導體材料頒布了諸多支持性政策,促進我國在第三代半導體材料市場取得可觀市場前景。
2017-2019年國家第三代半導體相關政策
頒布時間 | 名稱 | 內容 |
2017 | “十三五”材料領域科技創新專項規劃 | 在總體目標、指標體系、發展重點等各方面均捉出要大力發展第三代半導體材料 |
2017 | “十三五”交通領域科技創新專項規劃 | 提出開展汽車整車、動力系統、底盤電子控制系統以及IGBT、碳化硅、氦化鎵等電力電子器件技術研發及產品開發和零部件、系統的軟硬件測試技術研究與測試評價技術規范體系研究 |
2017 | “關于組織開展2017年工業強基工程重點產品、工藝'一條龍應用計劃工作的通知” | 捉出以城市軌道交通應用為源頭,實現3.3kV和6.5kV高頻高壓回合SiCIGBT及SiCMOSFET器件、驅動和變流裝置的技術突破 |
2019 | 鼓勵外商投資產業目錄(2019年版) | 支持引進SiC超細粉體(純度>99%)、高純超細氧化鋁微粉(純度>99.9%)、高純氮化鋁(AIN)粉體(純度>99%,平均粒徑<1μm)等精密高性能陶瓷原料外資生產企業 |
2019 | 關于印發重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019年版)的通告 | 對重點新材料首批次應用給予保險補償,GaN單晶襯底、功率器件用GaN外延片、SiC外廷片、SiC單晶襯底等第三代半導體產品進入目錄 |
2019 | 長江三角洲區域一體化發展規劃綱要 | 綱要明確要求長三角區域加快培育布局第三代半導體產業,推動制造業高質量發展 |
資料來源:智研咨詢整理


2021-2027年中國SIC功率器件行業發展戰略規劃及投資方向研究報告
《2021-2027年中國SIC功率器件行業發展戰略規劃及投資方向研究報告》共十四章,包含2021-2027年SIC功率器件行業投資機會與風險,SIC功率器件行業投資戰略研究,研究結論及投資建議等內容。



