瑞典林雪平大學的研究人員提出一種中子鏡改進方法，可提高中子源的材料分析效率，并已應用于位于瑞典隆德的歐洲散裂源（ESS）。相關研究結果發表在期刊《Science Advances》上。

研究人員通過磁控濺射工藝，在中子鏡的硅基板上涂覆摻有碳化硼的鐵和硅多層薄膜，形成非晶化和光滑界面，從而實現更高的中子反射率、更少的漫散射和更高的偏振，同時磁矯頑力被消除，可在低外部磁場下達到磁飽和。這種改進中子光學的方法有效地增加了歐洲散裂源的中子數量，提高了數據精度，為物理、化學、生物學和醫學等學科的開創性實驗和突破性發現提供了機會。

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