絕緣柵雙極晶體管
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![2025年中國絕緣柵雙極晶體管行業產業鏈圖譜、發展歷程、發展現狀、競爭格局、重點企業以及發展趨勢研判：隨著下游領域快速發展，IGBT需求量將持續增長 [圖]](http://img.chyxx.com/images/2022/0330/dd2a6e2dd1963d26c8672c625ba6166e69bd4120.png?x-oss-process=style/w320)
2025年中國絕緣柵雙極晶體管行業產業鏈圖譜、發展歷程、發展現狀、競爭格局、重點企業以及發展趨勢研判：隨著下游領域快速發展，IGBT需求量將持續增長 [圖]
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的優點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優點。
智研觀點
2025-02-03
絕緣柵雙極晶體管-產業百科
近年來，隨著技術的進步和市場需求的激增，我國IGBT產量呈現迅猛增長的態勢。2022年中國IGBT產量達3058萬只，同比增長18.53%。
計算機、通信和其他電子設備制造業
2024-04-03
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